Krajowy Plan Odbudowy i Zwiększania Odporności
Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress”
Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress” zostało objęte wsparciem w ramach Inwestycji A2.4.1 Inwestycje w rozbudowę potencjału badawczego Krajowego Planu Odbudowy i Zwiększania Odporności.
Rozbudowana zostanie nowa infrastruktura, Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress”, przeznaczona do prac związanych z wytwarzaniem struktur kwantowych dla urządzeń elektronicznych dużej mocy i wysokiej częstotliwości opartych na półprzewodnikach azotkowych i 4-calowych podłożach GaN. Technologia krystalizacji amonotermalnej jest skalowalna. Do krystalizacji większych kryształów potrzebne są większe autoklawy. IWC PAN posiada wiedzę jak takie autoklawy zaprojektować i zbudować. Zarodzie GaN do krystalizacji większych (4-calowych) kryształów są już hodowane. Większe kryształy wymagają większych maszyn do przetwarzania ich do form podłoży (cięcie, szlifowanie, docieranie, polerowanie itp.). Utworzenie linii do wywarzania 4-calowych podłoży z kryształów GaN jest jednym z zadań nowej strategicznej infrastruktury badawczej „GaN-Unipress”. Na podłożach krystalizowane będą warstwy epitaksjalne w technologiach MOVPE i HVPE. Wytwarzane będą struktury kwantowe dla tranzystorów. Niektóre struktury będą implantowane. Uszkodzenia po-implantacyjne będą usuwane za pomocą wygrzewania ultra wysokociśnieniowego (z ang. ultra-high-pressure annealing; UHPA), unikalnej polskiej technologii usuwania uszkodzeń po-implantacyjnych i elektrycznej aktywacji implantowanych domieszek.
Następujące zadania zostaną zrealizowane w projekcie:
- Projekt, zakup i uruchomienie autoklawów wraz z piecami do krystalizacji 4-calowego GaN metodą amonotermalną zasadową
- Zakup i uruchomienie urządzeń do przygotowania 4-calowych podłoży z kryształów GaN
- Zakup i uruchomienie dwóch reaktorów do epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych
- Zakup i uruchomienie spektrometru masowego jonów wtórnych
- Zakup i uruchomienie aparatury do charakteryzacji optycznej i elektrycznej kryształów podłoży i struktur na bazie GaN
- Adaptacja budynków i laboratoriów dla nowej infrastruktury badawczej
Projekt współfinansowany w ramach Krajowego Planu Odbudowy i Zwiększenia Odporności:
Całkowity koszt realizacji przedsięwzięcia: 89 144 580,00 zł Wartość dofinansowaniaz UE: 75 759 580,00 zł